联发科首席执行官蔡力行今日在COMPUTEX上发表主题演讲，工艺宣布，突破联发科2nm产品将于今年9月进入流片阶段，科月相较3nm制程，迈入2nm性能将提升15%，新阶功耗下降25%。工艺
5月20日消息，突破据媒体报道，科月联发科首席执行官蔡力行今日在COMPUTEX上发表主题演讲，迈入“过去10年，新阶全球有超过200亿台设备搭载联发科芯片，工艺地球上平均每人有2.5台设备采用联发科芯片”，突破他还宣布，科月联发科2nm产品将于今年9月进入流片阶段，迈入相较3nm制程，新阶2nm性能将提升15%，功耗下降25%。
据了解，台积电2nm制程采用全新的GAAFET(全环绕栅极场效应晶体管)架构，相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的纳米片结构，这一变革大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著降低了功耗。
但据爆料消息，联发科今年9月发布的天玑9500仍然采用台积电3nm制程，明年下半年的天玑9600则会升级为全新的台积电2nm工艺，这将会是联发科第一款2nm芯片。
此外有消息称，台积电2nm晶圆的成本将比之前高出10%，这将导致终端旗舰掀起新一轮涨价潮。
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