2025年5月15日消息，苹果据韩国媒体ETNews爆料，周年苹果公司正在为20周年（2027年）iPhone系列增加“高带宽内存HBM（High Bandwidth Memory）”，纪念技术正在接触韩国的有用三星和SK海力士等内存供应商讨论相关计划。同时还提到，望采届时iPhone的内存手机屏幕及电池方面也会有新技术升级。
2025年5月15日消息，苹果据韩国媒体ETNews爆料，周年苹果公司正在为20周年（2027年）iPhone系列增加“高带宽内存HBM（High Bandwidth Memory）”，纪念技术正在接触韩国的有用三星和SK海力士等内存供应商讨论相关计划。同时还提到，望采届时20周年纪念版iPhone的内存手机屏幕及电池方面也会有新技术升级。
据韩国媒体相关报道，苹果高带宽内存HBM技术是周年由韩国三星电子、SK海力士和AMD发起，纪念技术一种基于3D堆栈技术的高性能DRAM。它将内存芯片垂直堆叠，并通过称为“硅通孔(TSV)”的微型垂直互连技术连接起来，从而显著提高信号传输速度。HBM目前主要用于AI服务器，由于能够与GPU协同支持AI处理，因此通常被称为AI内存。
苹果20周年纪念版的iPhone增加高带宽内存HBM技术，旨在提供极高的数据吞吐量，同时最大限度地降低功耗和RAM芯片的物理占用空间。韩国媒体ETNews报道，苹果公司正在寻求增强设备上的AI功能，将移动HBM连接到iPhone的GPU单元，此方式被认为是实现这一目标的有力候选方案。
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